國產(chǎn)芯片突破成果在哪里？

      我國目前研究半導體、集成電路等重大技術(shù)裝備顯得迫在眉睫。研究自主研發(fā)的高科技專利，是之成為國之重器，扶持中國5G、AI、通訊等高新科技，也成為了我國各個科研機構(gòu)和技術(shù)專家們的重大任務(wù)。

雖然我們***芯片半導體產(chǎn)業(yè)相比美日已然落后，但我泱泱中華人才輩出，若奮起直追，星星之火，也可燎原。2018年以來，我國科研專家就在此方面取得了不少突出成果，比如以下兩個：

中科大院士制備半導體六量子點芯片，為***之首

此前，在2018年2月，中國科學技術(shù)大學郭光燦院士團隊在半導體量子芯片研制方面獲新進展，創(chuàng)新性地制備了半導體六量子點芯片，在***上實現(xiàn)了半導體體系中的三量子比特邏輯門操控，為未來研制集成化半導體量子芯片邁出堅實一步。***應(yīng)用物理學期刊《物理評論應(yīng)用》日前發(fā)表了該成果。

開發(fā)與現(xiàn)代半導體工藝兼容的半導體全電控量子芯片，是當前量子計算機研制的重要方向之一。郭光燦團隊中的郭國平教授研究組長期致力于半導體量子芯片研發(fā)，近年來曾先后實現(xiàn)半導體單電荷量子比特邏輯門、兩電荷量子比特控制非邏輯門等成果。

郭國平與教授肖明、研究員李海歐、曹剛等人合作，通過理論計算分析，創(chuàng)新性地設(shè)計了T型電極開口式六量子點結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使得控制比特與目標比特有較強的耦合，同時兩個目標比特之間的耦合較小，很好地滿足了實現(xiàn)兩個控制比特對目標比特受控非門的操控要求。他們利用優(yōu)化設(shè)計的高頻脈沖量子測控電路，成功實現(xiàn)了世界上基于半導體量子點體系的三電荷量子比特邏輯門，進一步提升量子計算的效率，為可擴展、可集成化半導體量子芯片的研制奠定了堅實基礎(chǔ)。

《物理評論應(yīng)用》審稿人認為，這項工作是半導體量子點量子計算方向的一個重要進展，詳細、清楚地展示了高水平的實驗技術(shù)，將引起學界對該領(lǐng)域極高的研究熱情。

北大教授制造出遠超英特爾的芯片核心元器件

近日，北京大學電子系教授彭練矛帶領(lǐng)團隊成功使用新材料碳納米管制造出芯片的核心元器件——晶體管，其工作速度高于英特爾14納米商用硅材料晶體管的3倍，能耗只有其四分之一。該研究成果刊登于《科學》雜志。

業(yè)界認為，集成電路芯片遵從摩爾定律，即硅材料晶體管的尺寸將無法再縮小，芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理極限。在此背景下，人們一直在尋找能夠替代當前硅芯片的材料，碳納米管就是主要的研究方向之一。

業(yè)內(nèi)認為，碳納米管晶體管技術(shù)的突破對于中國半導體產(chǎn)業(yè)意義深遠，碳基芯片的科研突破給中國芯片產(chǎn)業(yè)提供了換道超車的可能。我國碳納米管晶體管研發(fā)技術(shù)世界，中國巨大的市場和雄厚的資金更是提供了廣闊前景。

我國自主芯片技術(shù)還存在非常大的短板，未來發(fā)展高新科技技術(shù)顯得尤為重要。在如今科技強國的時代，唯有擁有自主技術(shù)，通過科技創(chuàng)新才能打造出自己的強國之路。